2~6 tommu 4° óhorn P-gerð 4H-SiC undirlag

Semicera 2 ~ 6 tommu 4° óhorn P-gerð 4H-SiC hvarfefni eru hönnuð til að mæta vaxandi þörfum framleiðenda afkastamikilla og RF tækja. 4° hliðarhornsstillingin tryggir hámarks vöxt epitaxials, sem gerir þetta undirlag að kjörnum grunni fyrir úrval hálfleiðaratækja, þar á meðal MOSFET, IGBT og díóða.

Þetta 2 ~ 6 tommu 4° off-horn P-gerð 4H-SiC undirlag hefur framúrskarandi efniseiginleika, þar á meðal mikla hitaleiðni, framúrskarandi rafmagnsgetu og framúrskarandi vélrænan stöðugleika. Staðsetning utan horns hjálpar til við að draga úr örpípuþéttleika og stuðlar að sléttari epitaxial lögum, sem er mikilvægt til að bæta afköst og áreiðanleika endanlegra hálfleiðarabúnaðar.

Semicera's 2~6 tommu 4° off-horn P-gerð 4H-SiC hvarfefni eru fáanleg í ýmsum þvermálum, allt frá 2 tommu til 6 tommu, til að uppfylla mismunandi framleiðslukröfur. Undirlagið okkar er nákvæmlega hannað til að veita samræmd lyfjagildi og hágæða yfirborðseiginleika, sem tryggir að hver obláta uppfylli strangar forskriftir sem krafist er fyrir háþróaða rafræna notkun.

Skuldbinding Semicera til nýsköpunar og gæða tryggir að 2~6 tommu 4° óhornið P-gerð 4H-SiC hvarfefni okkar skili stöðugri afköstum í fjölmörgum forritum, allt frá rafeindatækni til hátíðnitækja. Þessi vara veitir áreiðanlega lausn fyrir næstu kynslóð orkusparandi, afkastamikilla hálfleiðara, sem styður tækniframfarir í atvinnugreinum eins og bifreiðum, fjarskiptum og endurnýjanlegri orku.