-
Umsóknarhorfur kísilkarbíðskífubáta á hálfleiðarasviðinu
Á hálfleiðarasviðinu er efnisval mikilvægt fyrir frammistöðu tækja og ferliþróun.Undanfarin ár hafa kísilkarbíðplötur, sem vaxandi efni, vakið mikla athygli og sýnt mikla möguleika til notkunar á hálfleiðarasviðinu.Silico...Lestu meira -
Notkunarhorfur fyrir kísilkarbíð keramik á sviði sólarorku ljóss
Á undanförnum árum, eftir því sem alþjóðleg eftirspurn eftir endurnýjanlegri orku hefur aukist, hefur sólarorka með sólarorku orðið sífellt mikilvægari sem hreinn, sjálfbær orkukostur.Í þróun ljósvakatækni gegna efnisvísindi mikilvægu hlutverki.Meðal þeirra, kísilkarbíð keramik, a...Lestu meira -
Undirbúningsaðferð algengra TaC húðaðra grafíthluta
PART/1CVD (Chemical Vapor Deposition) aðferð: Við 900-2300 ℃, með TaCl5 og CnHm sem tantal og kolefnisgjafa, H₂ sem afoxandi andrúmsloft, Ar₂as burðargas, hvarfútfellingarfilmu.Undirbúna húðunin er samningur, einsleitur og hár hreinleiki.Hins vegar eru nokkur vandamál...Lestu meira -
Notkun á TaC húðuðum grafíthlutum
HLUTI/1 Deigla, fræhaldari og stýrihringur í SiC og AIN einkristallaofni voru ræktaðir með PVT aðferð Eins og sýnt er á mynd 2 [1], þegar líkamleg gufuflutningsaðferð (PVT) er notuð til að undirbúa SiC, er frækristallinn í tiltölulega lághitasvæðið, SiC r...Lestu meira -
Uppbygging og vaxtartækni kísilkarbíðs (Ⅱ)
Í fjórða lagi, Physical vapor transfer method Physical vapor transport (PVT) aðferð er upprunnin frá gufufasa sublimation tækninni sem Lely fann upp árið 1955. SiC duftið er sett í grafítrör og hitað upp í háan hita til að brjóta niður og sublimera SiC kraftinn...Lestu meira -
Uppbygging og vaxtartækni kísilkarbíðs (Ⅰ)
Í fyrsta lagi uppbygging og eiginleika SiC kristals.SiC er tvöfalt efnasamband myndað af Si frumefni og C frumefni í 1:1 hlutfalli, það er 50% kísill (Si) og 50% kolefni (C), og grunnbyggingareining þess er SI-C tetrahedron.Skýringarmynd af kísilkarbíð tetrahedro...Lestu meira -
Kostir tantalkarbíðhúðunar í hálfleiðaravörum
Með stöðugum framförum vísinda og tækni eru hálfleiðaravörur að gegna sífellt mikilvægara hlutverki í lífi okkar.Í hálfleiðara framleiðsluferlinu hefur beiting húðunartækni orðið sífellt mikilvægari.Sem efni breitt...Lestu meira -
Kísilkarbíðstútar í rafrænum hálfleiðaraframleiðslu
Kísilkarbíðstútar gegna mikilvægu hlutverki í rafrænum hálfleiðaraframleiðslu.Þeir eru tæki sem notað er til að úða vökva eða lofttegundum, oft notað til blautrar efnameðferðar í hálfleiðaraframleiðslu.Sic stútur hefur kosti háhitaþols, ...Lestu meira -
Framúrskarandi árangur kísilkarbíð kristalbáts í háhitaumhverfi
Kísilkarbíð kristalbátur er efni með framúrskarandi eiginleika, sem sýnir ótrúlega hita- og tæringarþol í háhitaumhverfi.Það er efnasamband sem samanstendur af kolefnis- og kísilþáttum með mikla hörku, hátt bræðslumark og framúrskarandi hitastig...Lestu meira -
Kannaðu einstaka eiginleika og notkun glerkolefnis
Kolefni er eitt algengasta frumefni náttúrunnar og nær yfir eiginleika næstum allra efna sem finnast á jörðinni.Það sýnir fjölbreytt úrval af eiginleikum, svo sem mismunandi hörku og mýkt, einangrunar-hálfleiðara-ofurleiðara hegðun, hitaeinangrunar-ofurleiðni og...Lestu meira -
Þegar glerkennt kolefni mætir nýsköpun: Semicera leiðir byltinguna í glerkenndri kolefnishúðunartækni
Glerkennt kolefni, einnig þekkt sem glerkennt kolefni eða glerkennt kolefni, sameinar eiginleika glers og keramik í ógrafítískt kolefnisefni.Meðal þeirra fyrirtækja sem eru í fararbroddi við að þróa háþróuð glerkennd kolefnisefni er Semicera, leiðandi framleiðandi sem sérhæfir sig í kolefnisbundnum...Lestu meira -
Semicera kynnir nýstárlegar grafítvörur sem bjóða upp á framúrskarandi lausnir fyrir iðnaðinn
Semicera, leiðandi á heimsvísu í framleiðslu á grafítvörum, hefur nýlega tilkynnt kynningu á úrvali af nýstárlegum vörum, sem skilar óvenjulegum lausnum til iðnaðarins.Sem leiðandi fyrirtæki á þessu sviði hefur Semicera skuldbundið sig til að veita hágæða og afkastamikið grafítframleiðsla...Lestu meira