Magn CVD SiC hringur

Stutt lýsing:

Magn CVD SiC hringir nota kísilgjafagas (eins og kísilhýdríð) og kolefnisgjafagas (eins og metan) sem hráefni, hvarfast við háan hita til að setja stór SiC efni á undirlag eða mót. Þetta ferli gerir SiC kleift að setjast jafnt yfir stórt svæði og mynda sterka og stöðuga hringbyggingu.

Sendu tölvupóst til okkar

Upplýsingar um vöru

Vörumerki

Af hverju er kísilkarbíð ætingarhringur?

RTPCVD SiC hringireru mikið notaðar á iðnaðar- og vísindasviðum í háhita og ætandi umhverfi. Það gegnir mikilvægu hlutverki í hálfleiðaraframleiðslu, ljóseindatækni, nákvæmnisvélum og efnaiðnaði. Sérstakar umsóknir innihalda:

1. Hálfleiðaraframleiðsla:RTP CVD SiC hringirHægt að nota til upphitunar og kælingar á hálfleiðarabúnaði, veita stöðuga hitastýringu og tryggja nákvæmni og samkvæmni ferlisins.

2. Optoelectronics: Vegna framúrskarandi hitaleiðni og háhitaþols, RTPCVD SiC hringirhægt að nota sem stuðnings- og hitaleiðniefni fyrir leysigeisla, ljósleiðarasamskiptabúnað og ljóshluta.

3. Nákvæmni vélar: RTP CVD SiC hringir geta verið notaðir fyrir nákvæmni tæki og búnað í háhita og ætandi umhverfi, svo sem háhita ofna, tómarúm tæki og efna reactors.

4. Efnaiðnaður: Vegna tæringarþols og efnafræðilegs stöðugleika er hægt að nota RTP CVD SiC hringa í ílát, pípur og reactors í efnahvörfum og hvataferli.

Epi kerfi

RTP kerfi

CVD kerfi

Afköst vöru:

1. Hittu ferlið undir 28nm

2. Super tæringarþol

3. Ofur hreinn árangur

4. Ofur hörku

5. Hár þéttleiki

6. Háhitaþol

7. Slitþol

Vöruumsókn:

Kísilkarbíðefni hafa einkenni mikillar hörku, slitþols, tæringarþols og stöðugleika við háan hita. Vörur með framúrskarandi alhliða frammistöðu eru mikið notaðar í þurrætingu og TF/dreifingarferlum.