Síðandeigluer notað sem ílát og það er convection inni, þar sem stærð myndaðs eins kristalls eykst, verður varma convection og hitastigsjafnvægi erfiðara að stjórna. Með því að bæta við segulsviði til að láta leiðandi bræðsluna virka á Lorentz krafti er hægt að hægja á eða jafnvel útrýma konvection til að framleiða hágæða einkristalla sílikon.
Samkvæmt tegund segulsviðs má skipta því í lárétt segulsvið, lóðrétt segulsvið og CUSP segulsvið:
Lóðrétt segulsvið getur ekki útrýmt aðal convection vegna byggingarástæðna og er sjaldan notað.
Stefna segulsviðshlutans lárétta segulsviðsins er hornrétt á aðalhitaloftun og að hluta þvinguð varmaloft deigluveggsins, sem getur í raun hindrað hreyfingu, viðhaldið flatleika vaxtarviðmótsins og dregið úr vaxtarröndum.
CUSP segulsvið hefur jafnari flæði og varmaflutning bræðslu vegna samhverfu þess, þannig að rannsóknir á lóðréttum og CUSP segulsviðum hafa haldist í hendur.
Í Kína hefur Xi'an Tækniháskólinn gert sér grein fyrir framleiðslu og kristaldráttartilraunum á einkristalla sílikon með segulsviðum fyrr. Helstu vörur þess eru 6-8in vinsælar tegundir, sem miða að kísilskífumarkaði fyrir sólarljósafrumur. Í erlendum löndum, eins og KAYEX í Bandaríkjunum og CGS í Þýskalandi, eru helstu vörur þeirra 8-16 tommur, sem henta fyrir einkristalla sílikonstangir á stigi ofurstórra samþættra hringrása og hálfleiðara. Þeir hafa einokun á sviði segulsviða til að vaxa hágæða einkristalla með stórum þvermál og eru mest dæmigerð.
Segulsviðsdreifingin á deiglusvæði einskristalvaxtarkerfisins er mikilvægasti hluti segulsins, þar með talið styrkur og einsleitni segulsviðsins við brún deiglunnar, miðju deiglunnar og viðeigandi. fjarlægð undir yfirborði vökva. Heildar lárétta og samræmda þversegulsviðið, segullínurnar af krafti eru hornrétt á kristalvaxtarásinn. Samkvæmt segulverkuninni og Ampere lögmálinu er spólan næst brún deiglunnar og er sviðsstyrkurinn stærstur. Þegar fjarlægðin eykst eykst segulviðnám loftsins, sviðsstyrkurinn minnkar smám saman og hann er minnstur í miðjunni.
Hlutverk ofurleiðandi segulsviðs
Hindrar varma convection: Ef ekki er utanaðkomandi segulsvið mun bráðinn kísill framleiða náttúrulega varma convection við upphitun, sem getur leitt til ójafnrar dreifingar óhreininda og myndunar kristalgalla. Ytra segulsviðið getur bælt þessa convection, sem gerir hitastigsdreifinguna inni í bræðslunni jafnari og dregur úr ójafnri dreifingu óhreininda.
Að stjórna kristalvaxtarhraða: Segulsviðið getur haft áhrif á hraða og stefnu kristalvaxtar. Með því að stjórna nákvæmlega styrk og dreifingu segulsviðsins er hægt að fínstilla kristalvaxtarferlið og bæta heilleika og einsleitni kristalsins. Við vöxt eins kristalla kísils fer súrefni inn í kísilbræðsluna aðallega í gegnum hlutfallslega hreyfingu bræðslunnar og deiglunnar. Segulsviðið dregur úr líkum á því að súrefni komist í snertingu við kísilbræðsluna með því að draga úr flutningi bræðslunnar og dregur þannig úr upplausn súrefnis. Í sumum tilfellum getur ytra segulsviðið breytt varmafræðilegum skilyrðum bræðslunnar, svo sem með því að breyta yfirborðsspennu bræðslunnar, sem getur hjálpað til við rokgjörn súrefnis og þar með dregið úr súrefnisinnihaldi bræðslunnar.
Draga úr upplausn súrefnis og annarra óhreininda: Súrefni er eitt af algengum óhreinindum í vexti kísilkristalla, sem veldur því að gæði kristalsins versna. Segulsviðið getur dregið úr súrefnisinnihaldi í bræðslunni og þar með dregið úr upplausn súrefnis í kristalnum og bætt hreinleika kristalsins.
Bættu innri uppbyggingu kristalsins: Segulsviðið getur haft áhrif á galla uppbyggingu inni í kristalinu, svo sem tilfærslur og kornamörk. Með því að fækka þessum galla og hafa áhrif á dreifingu þeirra er hægt að bæta heildargæði kristalsins.
Að bæta rafeiginleika kristalla: Þar sem segulsvið hafa veruleg áhrif á örbygginguna við kristalvöxt, geta þau bætt rafeiginleika kristalla, svo sem viðnám og endingartíma burðarefnis, sem skipta sköpum til að framleiða hágæða hálfleiðaratæki.
Verið velkomin viðskiptavinum frá öllum heimshornum til að heimsækja okkur til frekari umræðu!
https://www.semi-cera.com/
https://www.semi-cera.com/tac-coating-monocrystal-growth-parts/
https://www.semi-cera.com/cvd-coating/
Birtingartími: 24. júlí 2024