-
Afgerandi hlutverk og notkunartilvik SiC-húðaðra grafítviðtaka í hálfleiðaraframleiðslu
Semicera Semiconductor ætlar að auka framleiðslu á kjarnaíhlutum fyrir hálfleiðaraframleiðslubúnað á heimsvísu. Árið 2027 stefnum við að því að stofna nýja 20.000 fermetra verksmiðju með heildarfjárfestingu upp á 70 milljónir USD. Einn af kjarnahlutum okkar, kísilkarbíð (SiC) oblátur...Lestu meira -
Tilvalið efni fyrir fókushringi í plasmaætingarbúnaði: Kísilkarbíð (SiC)
Í plasma ætingarbúnaði gegna keramikhlutar mikilvægu hlutverki, þar á meðal fókushringurinn. Fókushringurinn, sem er settur utan um skífuna og í beinni snertingu við hana, er nauðsynlegur til að fókusa plasmainn á skífuna með því að setja spennu á hringinn. Þetta eykur ó...Lestu meira -
Þegar glerkennt kolefni mætir nýsköpun: Semicera leiðir byltinguna í glerkenndri kolefnishúðunartækni
Glerkennt kolefni, einnig þekkt sem glerkennt kolefni eða glerkennt kolefni, sameinar eiginleika glers og keramik í ógrafítískt kolefnisefni. Meðal þeirra fyrirtækja sem eru í fararbroddi við að þróa háþróuð glerkennd kolefnisefni er Semicera, leiðandi framleiðandi sem sérhæfir sig í kolefnisbundnum...Lestu meira -
Bylting í kísilkarbíð þekjutækni: í fararbroddi í framleiðslu á kísilkarbíði í Kína
Við erum spennt að tilkynna tímamótaárangur í sérfræðiþekkingu fyrirtækisins okkar í kísilkarbíð-epitaxy tækni. Verksmiðjan okkar er stolt af því að vera einn af leiðandi framleiðendum í Kína sem er fær um að framleiða kísil/karbíð epitaxial reactors. Með skuldbindingu okkar um einstök gæði...Lestu meira -
Ný bylting: Fyrirtækið okkar sigrar tantalkarbíðhúðunartækni til að auka líftíma íhluta og bæta afrakstur
Zhejiang, 20/10/2023 - Í verulegu skrefi í átt að tækniframförum, tilkynnir fyrirtækið okkar með stolti farsæla þróun Tantalum Carbide (TaC) húðunartækni. Þetta byltingarafrek lofar að gjörbylta greininni með því að ...Lestu meira