-
Lykilkjarnaefni fyrir SiC-vöxt: Tantalkarbíðhúð
Sem stendur er þriðja kynslóð hálfleiðara einkennist af kísilkarbíði. Í kostnaðarsamsetningu tækja sinna er undirlagið 47% og epitaxy 23%. Þetta tvennt samanlagt er um 70%, sem er mikilvægasti hluti kísilkarbíðbúnaðarframleiðslunnar...Lestu meira -
Hvernig auka tantalkarbíðhúðaðar vörur tæringarþol efna?
Tantalkarbíðhúð er almennt notuð yfirborðsmeðferðartækni sem getur bætt tæringarþol efna verulega. Tantalkarbíðhúð er hægt að festa við yfirborð undirlagsins með mismunandi undirbúningsaðferðum, svo sem efnagufuútfellingu, eðlisfræði...Lestu meira -
Í gær gaf Vísinda- og tækninýsköpunarráðið út tilkynningu um að Huazhuo Precision Technology hafi sagt upp IPO!
Nýlega tilkynnti afhendingu fyrsta 8 tommu SIC leysigræðslubúnaðarins í Kína, sem er einnig tækni Tsinghua; Hvers vegna drógu þeir efnin sjálfir til baka? Aðeins nokkur orð: Í fyrsta lagi eru vörurnar of fjölbreyttar! Við fyrstu sýn veit ég ekki hvað þeir gera. Sem stendur er H...Lestu meira -
CVD kísilkarbíð húðun-2
CVD kísilkarbíðhúð 1. Af hverju er kísilkarbíðhúð Húðlagalagið er sérstakt einkristalt þunn filma sem vaxið er á grundvelli skífunnar í gegnum epitaxial ferli. Undirlagsskúffan og þunnt þunn filma eru sameiginlega kölluð epitaxial diskur. Meðal þeirra eru...Lestu meira -
Undirbúningsferli SIC húðunar
Sem stendur innihalda undirbúningsaðferðir SiC húðunar aðallega gel-sol aðferð, innfellingaraðferð, bursta húðunaraðferð, plasma úða aðferð, efna gufuviðbragðsaðferð (CVR) og efna gufuútfellingaraðferð (CVD). Innfellingaraðferð Þessi aðferð er eins konar háhita fastfasa...Lestu meira -
CVD kísilkarbíð húðun-1
Hvað er CVD? Þetta ferli er oft notað á hálfleiðaraframleiðslusviði til að mynda þunnar filmur á yfirborði obláta. Í því ferli að undirbúa SiC með CVD er undirlagið eytt ...Lestu meira -
Greining á tilfærsluuppbyggingu í SiC kristal með geislunarhermi með aðstoð röntgenmyndagerðar
Rannsóknarbakgrunnur Notkun mikilvægi kísilkarbíðs (SiC): Sem breitt bandgap hálfleiðara efni hefur kísilkarbíð vakið mikla athygli vegna framúrskarandi rafeiginleika (svo sem stærra bandbil, hærri rafeindamettunarhraði og hitaleiðni). Þessir stuð...Lestu meira -
Frækristalla undirbúningsferli í SiC einkristallavexti 3
Staðfesting á vexti Kísilkarbíð (SiC) frækristallar voru útbúnir eftir því ferli sem lýst er yfir og staðfestir með SiC kristalvexti. Vaxtarvettvangurinn sem notaður var var sjálfþróaður SiC örvunarvaxtarofn með 2200 ℃ vaxtarhita, 200 Pa vaxtarþrýsting og vaxtar...Lestu meira -
Frækristalundirbúningsferli í SiC stakkristallavexti (2. hluti)
2. Tilraunaferli 2.1 Herðing á límfilmu Það kom í ljós að það að búa til kolefnisfilmu eða binding með grafítpappír á SiC-skífur húðaðar með lími leiddi til nokkurra vandamála: 1. Við lofttæmisaðstæður þróaði límfilman á SiC-skífum útliti. að skrifa undir...Lestu meira -
Frækristalundirbúningsferli í SiC Single Crystal Growth
Kísilkarbíð (SiC) efni hefur þá kosti að vera breitt bandbil, hár hitaleiðni, hár mikilvægur sundurliðunarsviðsstyrkur og hár mettuð rafeindarekshraði, sem gerir það mjög efnilegt á sviði hálfleiðaraframleiðslu. SiC einkristallar eru almennt framleiddir í gegnum ...Lestu meira -
Hverjar eru aðferðirnar til að fægja oblátt?
Af öllum ferlum sem taka þátt í því að búa til flís, er endanleg örlög oblátunnar að skera í einstaka teygjur og pakka í litla, lokuðum öskjum með aðeins nokkra pinna útsetta. Kubburinn verður metinn út frá þröskuldi, viðnám, straumi og spennugildum, en enginn mun íhuga ...Lestu meira -
Grunnkynning á SiC epitaxial vaxtarferli
Epitaxial lag er tiltekin eins kristalsfilma sem ræktuð er á skífunni með ep·itaxial ferli, og undirlagsskífan og epitaxial filman eru kölluð epitaxial obláta. Með því að vaxa kísilkarbíð þekjulagið á leiðandi kísilkarbíð hvarfefninu, kísilkarbíð einsleitt þekjuefni ...Lestu meira