CVD Bulk Silicon Carbide (SiC)
Yfirlit:CVDkísilkarbíð í lausu (SiC)er mjög eftirsótt efni í plasmaætingarbúnaði, hraðri varmavinnslu (RTP) forritum og öðrum hálfleiðurum framleiðsluferlum. Einstakir vélrænir, efna- og hitaeiginleikar þess gera það að kjörnu efni fyrir háþróaða tækni sem krefjast mikillar nákvæmni og endingar.
Umsóknir um CVD Bulk SiC:Magn SiC skiptir sköpum í hálfleiðaraiðnaðinum, sérstaklega í plasmaætingarkerfum, þar sem íhlutir eins og fókushringir, gassturtuhausar, brúnhringir og plötur njóta góðs af framúrskarandi tæringarþoli og hitaleiðni SiC. Notkun þess nær tilRTPkerfi vegna getu SiC til að standast hraðar hitasveiflur án verulegrar niðurbrots.
Auk ætingarbúnaðar, CVDmagn SiCer vinsælt í dreifingarofnum og kristalvaxtarferlum, þar sem krafist er mikils hitastöðugleika og viðnáms gegn erfiðu efnaumhverfi. Þessir eiginleikar gera SiC að efnið sem er fyrir valinu fyrir notkun með mikilli eftirspurn sem felur í sér háan hita og ætandi lofttegundir, eins og þær sem innihalda klór og flúor.
Kostir CVD Bulk SiC hluti:
•Hár þéttleiki:Með þéttleika 3,2 g/cm³,CVD magn SiCíhlutir eru mjög ónæmar fyrir sliti og vélrænni áhrifum.
•Frábær hitaleiðni:Með því að bjóða upp á varmaleiðni upp á 300 W/m·K, stjórnar magn SiC hita á skilvirkan hátt, sem gerir það tilvalið fyrir íhluti sem verða fyrir miklum hitasveiflu.
•Óvenjuleg efnaþol:Lítil hvarfgirni SiC við ætarlofttegundir, þar á meðal klór og flúor-undirstaða efni, tryggir lengri endingu íhluta.
•Stillanleg viðnám: CVD magn SiCHægt er að aðlaga viðnám á bilinu 10⁻²–10⁴ Ω-cm, sem gerir það aðlaganlegt að sérstökum ætingar- og hálfleiðaraframleiðsluþörfum.
•Varmaþenslustuðull:Með varmaþenslustuðli upp á 4,8 x 10⁻⁶/°C (25–1000°C), þolir CVD magn SiC hitaáfall, viðheldur víddarstöðugleika jafnvel við hraðar upphitunar- og kælingarlotur.
•Ending í plasma:Útsetning fyrir plasma og hvarfgefnum lofttegundum er óhjákvæmilegt í hálfleiðaraferlum, enCVD magn SiCbýður upp á yfirburða viðnám gegn tæringu og niðurbroti, sem dregur úr endurnýjunartíðni og heildarviðhaldskostnaði.
Tæknilýsing:
•Þvermál:Stærri en 305 mm
•Viðnám:Stillanleg innan 10⁻²–10⁴ Ω-cm
•Þéttleiki:3,2 g/cm³
•Varmaleiðni:300 W/m·K
•Varmaþenslustuðull:4,8 x 10⁻⁶/°C (25–1000°C)
Aðlögun og sveigjanleiki:KlSemicera hálfleiðari, við skiljum að hvert hálfleiðaraforrit gæti þurft mismunandi forskriftir. Þess vegna eru CVD magn SiC íhlutir okkar að fullu sérhannaðar, með stillanlegri viðnám og sérsniðnum málum til að henta búnaðarþörfum þínum. Hvort sem þú ert að fínstilla plasma ætingarkerfin þín eða leita að endingargóðum hlutum í RTP eða dreifingarferlum, þá skilar CVD magn SiC okkar óviðjafnanlega afköstum.
