Kísilkarbíð undirlag|SiC oblátur

Stutt lýsing:

Semicera Energy Technology Co., Ltd. er leiðandi birgir sem sérhæfir sig í oblátum og háþróuðum rekstrarvörum fyrir hálfleiðara. Við erum staðráðin í því að veita hágæða, áreiðanlegar og nýstárlegar vörur til hálfleiðaraframleiðslu, ljósvakaiðnaðar og annarra skyldra sviða.

Vörulínan okkar inniheldur SiC/TaC húðaðar grafítvörur og keramikvörur, sem nær yfir ýmis efni eins og kísilkarbíð, kísilnítríð og áloxíð og o.s.frv.

Sem stendur erum við eini framleiðandinn sem veitir hreinleika 99,9999% SiC húðun og 99,9% endurkristallað kísilkarbíð. Hámarkslengd SiC húðunar sem við getum gert 2640 mm.

 

Upplýsingar um vöru

Vörumerki

SiC-Wafer

Kísilkarbíð (SiC) einkristalla efni hefur stóra bandbilsbreidd (~Si 3 sinnum), mikla hitaleiðni (~Si 3,3 sinnum eða GaAs 10 sinnum), háan rafeindamettunarflæðishraða (~Si 2,5 sinnum), hár niðurbrot rafmagns sviði (~Si 10 sinnum eða GaAs 5 sinnum) og aðrir framúrskarandi eiginleikar.

SiC tæki hafa óbætanlega kosti á sviði háhita, háþrýstings, hátíðni, rafeindatækja með miklum krafti og öfgakennd umhverfisforrit eins og geimferða, her, kjarnorku osfrv., bæta upp galla hefðbundinna hálfleiðara efnistækja í raun. forritum, og eru smám saman að verða meginstraumur aflhálfleiðara.

Forskriftir um 4H-SiC kísilkarbíð hvarfefni

Atriði项目

Tæknilýsing参数

Fjöltýpa
晶型

4H -SiC

6H- SiC

Þvermál
晶圆直径

2 tommur | 3 tommur | 4 tommur | 6 tommu

2 tommur | 3 tommur | 4 tommur | 6 tommu

Þykkt
厚度

330 μm ~ 350 μm

330 μm ~ 350 μm

Leiðni
导电类型

N – gerð / hálfeinangrandi
N型导电片/ 半绝缘片

N – gerð / hálfeinangrandi
N型导电片/ 半绝缘片

Dopant
掺杂剂

N2 (köfnunarefni)V (vanadíum)

N2 (köfnunarefni) V (vanadíum)

Stefna
晶向

Á ás <0001>
Off ás <0001> off 4°

Á ás <0001>
Off ás <0001> off 4°

Viðnám
电阻率

0,015 ~ 0,03 ohm-cm
(4H-N)

0,02 ~ 0,1 ohm-cm
(6H-N)

Micropipe Density (MPD)
微管密度

≤10/cm2 ~ ≤1/cm2

≤10/cm2 ~ ≤1/cm2

TTV
总厚度变化

≤ 15 μm

≤ 15 μm

Bogi / undið
翘曲度

≤25 μm

≤25 μm

Yfirborð
表面处理

DSP/SSP

DSP/SSP

Einkunn
产品等级

Framleiðslu-/rannsóknareinkunn

Framleiðslu-/rannsóknareinkunn

Crystal Stacking Sequence
堆积方式

ABCB

ABCABC

Grindabreyta
晶格参数

a=3,076A, c=10,053A

a=3,073A, c=15,117A

Td/eV(Band-gap)
禁带宽度

3.27 eV

3.02 eV

ε(dielectric Constant)
介电常数

9.6

9,66

Ljósbrotsvísitala
折射率

n0 =2,719 ne =2,777

n0 = 2,707, ne = 2,755

6H-SiC kísilkarbíð hvarfefnisupplýsingar

Atriði项目

Tæknilýsing参数

Fjöltýpa
晶型

6H-SiC

Þvermál
晶圆直径

4 tommur | 6 tommu

Þykkt
厚度

350μm ~ 450μm

Leiðni
导电类型

N – gerð / hálfeinangrandi
N型导电片/ 半绝缘片

Dopant
掺杂剂

N2(köfnunarefni)
V (vanadíum)

Stefna
晶向

<0001> af 4°± 0,5°

Viðnám
电阻率

0,02 ~ 0,1 ohm-cm
(6H-N gerð)

Micropipe Density (MPD)
微管密度

≤ 10/cm2

TTV
总厚度变化

≤ 15 μm

Bogi / undið
翘曲度

≤25 μm

Yfirborð
表面处理

Si Face: CMP, Epi-Ready
C Andlit: Optical Polish

Einkunn
产品等级

Rannsóknareinkunn

Semicera Vinnustaður Semicera vinnustaður 2 Tækjavél CNN vinnsla, efnahreinsun, CVD húðun Þjónustan okkar


  • Fyrri:
  • Næst: