Semicera veitir sérhæfða tantalkarbíð (TaC) húðun fyrir ýmsa íhluti og burðarefni.Semcera leiðandi húðunarferli gerir tantalkarbíð (TaC) húðun kleift að ná miklum hreinleika, háhitastöðugleika og miklu efnaþoli, sem bætir vörugæði SIC/GAN kristalla og EPI laga (Grafíthúðaður TaC susceptor), og lengja endingu lykilhluta kjarnaofns. Notkun tantalkarbíðs TaC húðunar er til að leysa jaðarvandamálið og bæta gæði kristalvaxtar og Semicera hefur bylting leyst tantalkarbíðhúðunartækni (CVD) og hefur náð alþjóðlegu háþróuðu stigi.
Með tilkomu 8 tommu kísilkarbíð (SiC) diska hafa kröfurnar um ýmis hálfleiðaraferli orðið sífellt strangari, sérstaklega fyrir epitaxy ferli þar sem hitastig getur farið yfir 2000 gráður á Celsíus. Hefðbundin susceptor efni, svo sem grafít húðað með kísilkarbíði, hafa tilhneigingu til að sublimera við þetta háa hitastig, trufla epitaxy ferlið. Hins vegar tekur CVD tantalkarbíð (TaC) á áhrifaríkan hátt á þessu vandamáli, þolir hitastig allt að 2300 gráður á Celsíus og býður upp á lengri endingartíma. Hafðu samband við Semicera's Tantal Carbid húðun Hálft tungltil að kanna meira um háþróaða lausnir okkar.
með og án TaC
Eftir notkun TaC (hægri)
Þar að auki, Semicera'sTaC húðaðar vörursýna lengri endingartíma og meiri háhitaþol miðað viðSiC húðun.Rannsóknarstofumælingar hafa sýnt að okkarTaC húðungetur stöðugt framkvæmt við hitastig allt að 2300 gráður á Celsíus í langan tíma. Hér að neðan eru nokkur dæmi um sýnishorn okkar:
TaC húðaður susceptor
Grafít með TaC húðuðum reactor
