Tantalkarbíð (TaC) húðun með miklum hreinleika, háum hitastöðugleika og mikilli efnaþol

Tantalkarbíð (TaC) húðun með miklum hreinleika, háhitastöðugleika og háu efnaþoli.

Stutt lýsing:

TaC húðun er ný kynslóð af háhitaþolnu efni, með betri háhitastöðugleika en SiC, þjónar sem tæringarþolið, oxunarþolið og slitþolið húðun, er hægt að nota í umhverfinu yfir 2000 ℃, mikið notað í Aerospace ofur-háhita heitt enda hlutar, þriðja kynslóð af hálfleiðurum eins kristalla vexti og öðrum sviðum.

Sendu tölvupóst til okkar

Upplýsingar um vöru

Vörumerki

Semicera veitir sérhæfða tantalkarbíð (TaC) húðun fyrir ýmsa íhluti og burðarefni.Semcera leiðandi húðunarferli gerir tantalkarbíð (TaC) húðun kleift að ná miklum hreinleika, háhitastöðugleika og miklu efnaþoli, sem bætir vörugæði SIC/GAN kristalla og EPI laga (Grafíthúðaður TaC susceptor), og lengja endingu lykilhluta kjarnaofns. Notkun tantalkarbíðs TaC húðunar er til að leysa jaðarvandamálið og bæta gæði kristalvaxtar og Semicera hefur bylting leyst tantalkarbíðhúðunartækni (CVD) og hefur náð alþjóðlegu háþróuðu stigi.

Eftir margra ára þróun hefur Semicera sigrað tæknina íCVD TaCmeð sameiginlegu átaki R&D deildarinnar. Auðvelt er að koma fram galla í vaxtarferli SiC flísa, en eftir notkunTaC, munurinn er verulegur. Hér að neðan er samanburður á oblátum með og án TaC, sem og Semicera' hlutum fyrir einskristalvöxt

Tac hluti fyrir vöxt einn kristal

Antiwear tantal carbide húðun_ Ver búnað gegn sliti og tæringu. Valin mynd

Grafít með TaC húðuðum hring

með og án TaC

Eftir notkun TaC (hægri)

Að auki er endingartími TaC húðunarvara frá Semicera lengri og ónæmari fyrir háum hita en SiC húðunar. Eftir langan tíma af mælingagögnum á rannsóknarstofu getur TaC okkar virkað í langan tíma við að hámarki 2300 gráður á Celsíus. Eftirfarandi eru nokkur sýnishorn okkar: