SiC-húðaður hálfleiðari epitaxial reactor fyrir epitaxial reactor Chamber

SiC-húðaður hálfleiðara þekjuofn reactor fyrir epitaxial reactor hólf Valin mynd

Stutt lýsing:

Semicera býður upp á yfirgripsmikið úrval sýkla og grafíthluta sem eru hannaðir fyrir ýmsa epitaxy reactors.

Með stefnumótandi samstarfi við leiðandi OEMs, víðtæka efnisþekkingu og háþróaða framleiðslugetu, skilar Semicera sérsniðna hönnun til að uppfylla sérstakar kröfur umsóknar þinnar.Skuldbinding okkar um ágæti tryggir að þú fáir bestu lausnir fyrir þarfir þínar í kjarnaofni.

Sendu tölvupóst til okkar

Upplýsingar um vöru

Vörumerki

Fyrirtækið okkar veitirSiC húðunvinnsluþjónustu á yfirborði grafíts, keramik og annarra efna með CVD aðferð, þannig að sérstakar lofttegundir sem innihalda kolefni og kísil geta hvarfast við háan hita til að fá háhreinar Sic sameindir, sem hægt er að setja á yfirborð húðaðra efna til að mynda aSiC hlífðarlagfyrir epitaxy tunnu gerð hy pnotic.

Aðalatriði:

1 .Hátt hreint SiC húðað grafít

2. Superior hitaþol og hitauppstreymi einsleitni

3. FíntSiC kristal húðuðfyrir slétt yfirborð

4. Mikil ending gegn efnahreinsun

Helstu upplýsingar umCVD-SIC húðun

SiC-CVD eiginleikar
Kristal uppbygging	FCC β fasi
Þéttleiki	g/cm ³	3.21
hörku	Vickers hörku	2500
Kornastærð	μm	2~10
Efnafræðilegur hreinleiki	%	99.99995
Hitageta	J·kg-1 ·K-1	640
Sublimation Hitastig	℃	2700
Felexural styrkur	MPa (RT 4 punkta)	415
Young's Modulus	GPA (4pt beygja, 1300 ℃)	430
Varmaþensla (CTE)	10-6K-1	4.5
Varmaleiðni	(W/mK)	300