English

CVD SiC húðun Epitaxial útfelling í Epitaxy Reactor System

CVD SiC húðun Epitaxial útfelling í Epitaxy Reactor System Valin mynd
  • CVD SiC húðun Epitaxial útfelling í Epitaxy Reactor System
  • CVD SiC húðun Epitaxial útfelling í Epitaxy Reactor System
  • CVD SiC húðun Epitaxial útfelling í Epitaxy Reactor System

Stutt lýsing:

Semicera býður upp á yfirgripsmikið úrval sýkla og grafítíhluta sem hannaðir eru fyrir ýmsa epitaxy reactors.

Með stefnumótandi samstarfi við leiðandi OEMs, víðtæka efnisþekkingu og háþróaða framleiðslugetu, skilar Semicera sérsniðna hönnun til að uppfylla sérstakar kröfur umsóknar þinnar. Skuldbinding okkar um ágæti tryggir að þú fáir bestu lausnir fyrir þarfir þínar í kjarnaofni.

 

 


Upplýsingar um vöru

Vörumerki

Fyrirtækið okkar veitirSiC húðunvinnsluþjónustu á yfirborði grafíts, keramik og annarra efna með CVD aðferð, þannig að sérstakar lofttegundir sem innihalda kolefni og kísil geta hvarfast við háan hita til að fá háhreinar Sic sameindir, sem hægt er að setja á yfirborð húðaðra efna til að mynda aSiC hlífðarlagfyrir tunnugerð hy pnotic.

 

Helstu eiginleikar:

1 .Hátt hreint SiC húðað grafít

2. Superior hitaþol og hitauppstreymi einsleitni

3. FíntSiC kristal húðuðfyrir slétt yfirborð

4. Mikil ending gegn efnahreinsun

 
CVD Epitaxial útfelling í tunnu reactor

Helstu upplýsingar umCVD-SIC húðun

SiC-CVD eiginleikar
Kristal uppbygging FCC β fasi
Þéttleiki g/cm ³ 3.21
hörku Vickers hörku 2500
Kornastærð μm 2~10
Efnafræðilegur hreinleiki % 99.99995
Hitageta J·kg-1 ·K-1 640
Sublimation Hitastig ℃ 2700
Felexural styrkur MPa (RT 4 punkta) 415
Young's Modulus GPA (4pt beygja, 1300 ℃) 430
Varmaþensla (CTE) 10-6K-1 4.5
Varmaleiðni (W/mK) 300

 

 
2--cvd-sic-hreinleiki---99-99995-_60366
5----sic-crystal_242127
Semicera Vinnustaður
Semicera vinnustaður 2
Tækjavél
CNN vinnsla, efnahreinsun, CVD húðun
Þjónustan okkar
  • Fyrri:
  • Næst:

    • Tengdar vörur