CVD Silicon Carbide (SiC) ætingarhringur er sérstakur hluti úr kísilkarbíði (SiC) með því að nota Chemical Vapor Deposition (CVD) aðferðina. CVD Silicon Carbide (SiC) ætingarhringur gegnir lykilhlutverki í margs konar iðnaði, sérstaklega í ferlum sem fela í sér efnisætingu. Kísilkarbíð er einstakt og háþróað keramikefni þekkt fyrir framúrskarandi eiginleika, þar á meðal mikla hörku, framúrskarandi hitaleiðni og viðnám gegn erfiðu efnaumhverfi.
Chemical Vapor Deposition ferlið felur í sér að þunnt lag af SiC er sett á undirlag í stýrðu umhverfi, sem leiðir til mikils hreinleika og nákvæmlega hannað efni. CVD Silicon Carbide er þekkt fyrir einsleita og þétta örbyggingu, framúrskarandi vélrænan styrk og aukinn hitastöðugleika.
CVD Silicon Carbide (SiC) ætingarhringur er gerður úr CVD Silicon Carbide, sem tryggir ekki aðeins framúrskarandi endingu, heldur þolir einnig efnatæringu og miklar hitabreytingar. Þetta gerir það tilvalið fyrir forrit þar sem nákvæmni, áreiðanleiki og líf eru mikilvæg.
✓ Hágæða á Kínamarkaði
✓ Góð þjónusta alltaf fyrir þig, 7*24 klst
✓ Stuttur afhendingardagur
✓ Lítil MOQ velkomin og samþykkt
✓Sérsniðin þjónusta
Epitaxy Growth Sceptor
Kísil/kísilkarbíðplötur þurfa að fara í gegnum mörg ferli til að nota í rafeindatæki. Mikilvægt ferli er silicon/sic epitaxy, þar sem sílikon/sic oblátur eru bornar á grafítbotni. Sérstakir kostir kísilkarbíðhúðaðs grafítgrunns Semicera eru meðal annars mjög hár hreinleiki, einsleit húðun og afar langur endingartími. Þeir hafa einnig mikla efnaþol og hitastöðugleika.
LED Chip Framleiðsla
Meðan á umfangsmikilli húðun MOCVD reactorsins stendur, hreyfir plánetugrunnurinn eða burðarefnið undirlagsskífuna. Frammistaða grunnefnisins hefur mikil áhrif á húðunargæði, sem aftur hefur áhrif á ruslhraða flísarinnar. Kísilkarbíðhúðaður grunnur Semicera eykur framleiðslu skilvirkni hágæða LED diska og lágmarkar frávik bylgjulengdar. Við útvegum einnig viðbótar grafítíhluti fyrir alla MOCVD reactors sem eru í notkun. Við getum húðað næstum hvaða íhluti sem er með kísilkarbíðhúð, jafnvel þótt þvermál íhlutanna sé allt að 1,5M, getum við samt húðað með kísilkarbíði.
Hálfleiðarasvið, oxunardreifingarferli, osfrv.
Í hálfleiðaraferlinu krefst oxunarstækkunarferlið mikils vöruhreinleika og hjá Semicera bjóðum við upp á sérsniðna og CVD húðunarþjónustu fyrir meirihluta kísilkarbíðhluta.
Eftirfarandi mynd sýnir grófunnið kísilkarbíð slurry af Semicea og kísilkarbíð ofnrörið sem er hreinsað í 1000-stigryklaustherbergi. Starfsmenn okkar eru að vinna fyrir húðun. Hreinleiki kísilkarbíðsins okkar getur náð 99,99% og hreinleiki sic húðunar er meiri en 99,99995%
Raw Silicon Carbide Paddle og SiC Process Tube í hreinsun
Silicon Carbide Wafer Boat CVD SiC húðaður
