HLUTI/1
Deigla, fræhaldari og stýrihringur í SiC og AIN einkristallaofni voru ræktaðir með PVT aðferð
Eins og sýnt er á mynd 2 [1], þegar líkamleg gufuflutningsaðferð (PVT) er notuð til að undirbúa SiC, er frækristallinn á tiltölulega lághitasvæðinu, SiC hráefnið er á tiltölulega háhitasvæðinu (yfir 2400℃), og hráefnið brotnar niður til að framleiða SiXCy (aðallega þar á meðal Si, SiC₂, Si₂C osfrv.).Gufufasaefnið er flutt frá háhitasvæðinu til frækristallsins á lághitasvæðinu, fmynda frækjarna, vaxa og mynda staka kristalla.Hitasviðsefnin sem notuð eru í þessu ferli, svo sem deigla, flæðistýringarhringur, frækristallhaldari, ættu að vera ónæm fyrir háum hita og mun ekki menga SiC hráefni og SiC einkristalla.Á sama hátt þurfa hitunarefnin í vexti AlN einkristalla að vera ónæm fyrir Al gufu, N₂tæringu, og þarf að hafa hátt sæðishitastig (með AlN) til að stytta kristal undirbúningstímabilið.
Það kom í ljós að SiC[2-5] og AlN[2-3] framleidd afTaC húðuðgrafíthitasviðsefni voru hreinni, nánast ekkert kolefni (súrefni, köfnunarefni) og önnur óhreinindi, færri brúngalla, minni viðnám á hverju svæði, og örholuþéttleiki og ætingargryfjaþéttleiki voru verulega minnkaðir (eftir KOH ætingu) og kristalgæði var stórbætt.Auk þess,TaC deiglaþyngdartap hlutfall er næstum núll, útlit er ekki eyðileggjandi, hægt að endurvinna (líf allt að 200klst), getur bætt sjálfbærni og skilvirkni slíkrar eins kristalla undirbúnings.
MYND.2. (a) Skýringarmynd af SiC einkristalla ræktunarbúnaði með PVT aðferð
(b) EfstTaC húðuðfræfesting (þar á meðal SiC fræ)
(c)TAC-húðaður grafít stýrihringur
2. HLUTI
MOCVD GaN hitari til að vaxa í þekjulagi
Eins og sýnt er á mynd 3 (a), er MOCVD GaN vöxtur efnafræðileg gufuútfellingartækni sem notar lífrænt niðurbrotsviðbrögð til að vaxa þunnar filmur með gufuþekjuvexti.Hitastigsnákvæmni og einsleitni í holrúminu gera það að verkum að hitarinn verður mikilvægasti kjarnahluti MOCVD búnaðarins.Hvort undirlagið er hægt að hita hratt og jafnt í langan tíma (við endurtekna kælingu), stöðugleiki við háan hita (þol gegn gastæringu) og hreinleiki filmunnar mun hafa bein áhrif á gæði filmuútfellingar, þykkt samkvæmni, og árangur flísarinnar.
Til að bæta afköst og endurvinnslu skilvirkni hitara í MOCVD GaN vaxtarkerfi,TAC-húðuðgrafíthitari var kynntur með góðum árangri.Í samanburði við GaN epitaxial lag sem ræktað er með hefðbundnum hitara (með pBN húðun), hefur GaN epitaxial lag sem er ræktað með TaC hitara næstum sömu kristalbyggingu, þykkt einsleitni, innri galla, óhreinindalyf og mengun.Auk þess erTaC húðunhefur lágt viðnám og lágt yfirborðsgeislun, sem getur bætt skilvirkni og einsleitni hitarans og þar með dregið úr orkunotkun og hitatapi.Hægt er að stilla gljúpu lagsins með því að stjórna ferlibreytum til að bæta geislaeiginleika hitara enn frekar og lengja endingartíma hans [5].Þessir kostir geraTaC húðuðgrafíthitarar frábær kostur fyrir MOCVD GaN vaxtarkerfi.
MYND.3. (a) Skýringarmynd af MOCVD tæki fyrir GaN epitaxial vöxt
(b) Mótaður TAC-húðaður grafíthitari settur upp í MOCVD uppsetningu, að undanskildum grunni og festingu (mynd sem sýnir grunn og krappi í upphitun)
(c) TAC-húðaður grafíthitari eftir 17 GaN epitaxial vöxt.[6]
HLUTI/3
Húðaður susceptor fyrir epitaxy (wafer carrier)
Wafer burðarefni er mikilvægur byggingarhluti til að undirbúa SiC, AlN, GaN og önnur þriðja flokks hálfleiðara oblátur og epitaxial oblátavöxtur.Flestir obláta burðarefnin eru úr grafíti og húðuð með SiC húðun til að standast tæringu frá ferli lofttegunda, með hitastig á bilinu 1100 til 1600°C, og tæringarþol hlífðarhúðarinnar gegnir mikilvægu hlutverki í lífi obláta burðarins.Niðurstöðurnar sýna að tæringarhraði TaC er 6 sinnum hægari en SiC í háhita ammoníaki.Í háhitavetni er tæringarhraði jafnvel meira en 10 sinnum hægari en SiC.
Það hefur verið sannað með tilraunum að bakkarnir sem eru þaktir TaC sýna góða samhæfni í bláljósa GaN MOCVD ferlinu og koma ekki fyrir óhreinindum.Eftir takmarkaðar ferlistillingar sýna ljósdíóður sem ræktaðar eru með TaC burðarefni sömu frammistöðu og einsleitni og hefðbundin SiC burðarefni.Þess vegna er endingartími TAC-húðaðra bretta betri en á beru steinbleki ogSiC húðaðurgrafít bretti.
Pósttími: Mar-05-2024