Á sviði rafeindatækni nútímans gegna hálfleiðaraefni mikilvægu hlutverki.Meðal þeirra er kísilkarbíð (SiC) sem hálfleiðaraefni með breitt bandbil, með framúrskarandi frammistöðukostum sínum, svo sem hátt niðurbrots rafsvið, hár mettunarhraði, hár varmaleiðni osfrv., smám saman að verða í brennidepli vísindamanna og verkfræðinga.Kísilkarbíð epitaxial diskurinn, sem mikilvægur hluti hans, hefur sýnt mikla notkunarmöguleika.
一、epitaxial diskafköst: fullir kostir
1. Ofurhátt niðurbrotsrafsvið: samanborið við hefðbundin kísilefni er niðurbrotsrafsvið kísilkarbíðs meira en 10 sinnum.Þetta þýðir að við sömu spennuskilyrði geta rafeindatæki sem nota kísilkarbíð þekjudiska staðist hærri strauma og mynda þannig háspennu, hátíðni og afl rafeindatæki.
2. Háhraða mettunarhraði: mettunarhraði kísilkarbíðs er meira en 2 sinnum meiri en kísils.Með háum hita og miklum hraða virkar kísilkarbíð epitaxial diskurinn betur, sem bætir verulega stöðugleika og áreiðanleika rafeindatækja.
3. Hár skilvirkni hitaleiðni: hitaleiðni kísilkarbíðs er meira en 3 sinnum hærri en kísil.Þessi eiginleiki gerir rafeindatækjum kleift að dreifa hita betur meðan á stöðugri notkun stendur og koma þannig í veg fyrir ofhitnun og bæta öryggi tækisins.
4. Framúrskarandi efnafræðilegur stöðugleiki: í erfiðu umhverfi eins og háum hita, háum þrýstingi og sterkri geislun, er árangur kísilkarbíðs enn stöðugur eins og áður.Þessi eiginleiki gerir kísilkarbíð epitaxial disknum kleift að viðhalda framúrskarandi afköstum í flóknu umhverfi.
二、framleiðsluferli: vandlega útskorið
Helstu ferlar til að framleiða SIC epitaxial diskur eru líkamleg gufuútfelling (PVD), efna gufuútfelling (CVD) og epitaxial vöxtur.Hvert þessara ferla hefur sín sérkenni og krefst nákvæmrar stjórnunar á ýmsum breytum til að ná sem bestum árangri.
1. PVD ferli: Með uppgufun eða sputtering og öðrum aðferðum er SiC markið sett á undirlagið til að mynda filmu.Kvikmyndin sem er unnin með þessari aðferð hefur mikla hreinleika og góða kristalla, en framleiðsluhraði er tiltölulega hægur.
2. CVD ferli: Með því að sprunga kísilkarbíð upprunagasið við háan hita er það sett á undirlagið til að mynda þunnt filmu.Þykkt og einsleitni kvikmyndarinnar sem er útbúin með þessari aðferð er stjórnanleg, en hreinleiki og kristallleiki eru lélegir.
3. Epitaxial vöxtur: vöxtur SiC epitaxial lags á einkristallaðan sílikon eða önnur einkristölluð efni með efnagufuútfellingu.Epitaxial lagið sem er búið til með þessari aðferð hefur góða samsvörun og framúrskarandi frammistöðu við undirlagsefnið, en kostnaðurinn er tiltölulega hár.
三、Umsóknarhorfur: Lýstu framtíðina
Með stöðugri þróun rafeindatæknitækni og vaxandi eftirspurn eftir afkastamiklum og áreiðanlegum rafeindatækjum, hefur kísilkarbíð epitaxial diskur víðtæka notkunarmöguleika í framleiðslu á hálfleiðurum.Það er mikið notað í framleiðslu á hátíðni há-afl hálfleiðara tækjum, svo sem rafrænum rofum, inverterum, afriðlum osfrv. Að auki er það einnig mikið notað í sólarsellum, LED og öðrum sviðum.
Með einstökum frammistöðukostum sínum og stöðugum framförum á framleiðsluferlinu, sýnir kísilkarbíð þekjudiskur smám saman mikla möguleika sína á hálfleiðara sviði.Við höfum ástæðu til að ætla að í framtíð vísinda og tækni muni það gegna mikilvægara hlutverki.
Pósttími: 28. nóvember 2023