Sem stendur innihalda undirbúningsaðferðir SiC húðunar aðallega gel-sol aðferð, innfellingaraðferð, bursta húðunaraðferð, plasma úða aðferð, efnagasviðbragðsaðferð (CVR) og efnagufuútfellingaraðferð (CVD).
Innfellingaraðferð:
Aðferðin er eins konar háhita fastfasa sintun, sem notar aðallega blönduna af Si dufti og C dufti sem innfellingarduft, grafítfylki er sett í innfellingarduftið og háhita sinting fer fram í óvirku gasinu. , og að lokum fæst SiC húðun á yfirborði grafítgrunnsins.Ferlið er einfalt og samsetningin á milli húðunar og undirlags er góð, en einsleitni lagsins meðfram þykktarstefnunni er léleg, sem er auðvelt að framleiða fleiri göt og leiða til lélegrar oxunarþols.
Bursta húðunaraðferð:
Burstahúðunaraðferðin er aðallega að bursta fljótandi hráefnið á yfirborð grafítgrunnsins og lækna síðan hráefnið við ákveðið hitastig til að undirbúa húðunina.Ferlið er einfalt og kostnaðurinn er lítill, en húðunin sem er unnin með burstahúðunaraðferð er veik í samsetningu við undirlagið, einsleitni húðunar er léleg, húðunin er þunn og oxunarþolið er lágt og aðrar aðferðir eru nauðsynlegar til að aðstoða það.
Plasma úðunaraðferð:
Plasma úðunaraðferðin er aðallega að úða bráðnu eða hálfbræddu hráefni á yfirborð grafítfylkisins með plasmabyssu og síðan storkna og bindast til að mynda húðun.Aðferðin er einföld í notkun og getur útbúið tiltölulega þétta kísilkarbíðhúð, en kísilkarbíðhúðin sem unnin er með aðferðinni er oft of veik og leiðir til veikrar oxunarþols, þannig að hún er almennt notuð til að búa til SiC samsett húðun til að bæta gæði lagsins.
Gel-sol aðferð:
Gel-sol aðferðin er aðallega að útbúa einsleita og gagnsæja sóllausn sem hylur yfirborð fylkisins, þurrkun í hlaup og síðan sintrun til að fá húðun.Þessi aðferð er einföld í notkun og lág í kostnaði, en húðunin sem framleidd er hefur nokkra galla eins og lágt hitalostþol og auðvelt sprunga, svo það er ekki hægt að nota það mikið.
Chemical Gas Reaction (CVR):
CVR býr aðallega til SiC húðun með því að nota Si og SiO2 duft til að búa til SiO gufu við háan hita og röð efnahvarfa eiga sér stað á yfirborði C efnis undirlagsins.SiC húðunin sem er unnin með þessari aðferð er nátengd undirlaginu, en hvarfhitastigið er hærra og kostnaðurinn er hærri.
Chemical Vapor Deposition (CVD):
Sem stendur er CVD aðal tæknin til að undirbúa SiC húðun á yfirborði undirlagsins.Aðalferlið er röð eðlisfræðilegra og efnafræðilegra efnahvarfa gasfasa hvarfefna á yfirborði undirlagsins og að lokum er SiC húðunin undirbúin með útfellingu á yfirborði undirlagsins.SiC húðunin sem er unnin með CVD tækni er nátengd yfirborði undirlagsins, sem getur á áhrifaríkan hátt bætt oxunarþol og afnámsþol undirlagsefnisins, en útfellingartími þessarar aðferðar er lengri og hvarfgasið hefur ákveðið eitrað gasi.
Pósttími: Nóv-06-2023