Sem einn af kjarnaþáttum íMOCVD búnaður, grafítgrunnur er burðarefni og upphitunarhluti undirlagsins, sem ákvarðar beint einsleitni og hreinleika filmuefnisins, þannig að gæði þess hafa bein áhrif á undirbúning epitaxial laksins og á sama tíma með aukningu á fjölda notkun og breytt vinnuskilyrði, það er mjög auðvelt að klæðast, sem tilheyrir rekstrarvörum.
Þrátt fyrir að grafít hafi framúrskarandi hitaleiðni og stöðugleika, hefur það góða kosti sem grunnþáttur íMOCVD búnaður, en í framleiðsluferlinu mun grafít tæra duftið vegna leifar af ætandi lofttegundum og málmlífrænum efnum og endingartími grafítgrunnsins mun minnka verulega.Á sama tíma mun fallandi grafítduft valda mengun á flísinni.
Tilkoma húðunartækni getur veitt yfirborðsduftfestingu, aukið varmaleiðni og jafnað hitadreifingu, sem hefur orðið aðaltæknin til að leysa þetta vandamál.Grafítgrunnur íMOCVD búnaðurnotkunarumhverfi, grafít grunn yfirborðshúð ætti að uppfylla eftirfarandi eiginleika:
(1) Grafítbotninn er hægt að pakka að fullu og þéttleikinn er góður, annars er auðvelt að tæra grafítbotninn í ætandi gasinu.
(2) Samsetningsstyrkurinn við grafítbotninn er hár til að tryggja að ekki sé auðvelt að falla af húðinni eftir nokkrar háhita- og lághitalotur.
(3) Það hefur góðan efnafræðilegan stöðugleika til að forðast bilun í húðun við háan hita og ætandi andrúmsloft.
SiC hefur kosti tæringarþols, mikillar hitaleiðni, hitaáfallsþols og mikillar efnafræðilegs stöðugleika og getur virkað vel í GaN epitaxial andrúmslofti.Að auki er hitaþenslustuðull SiC mjög lítið frábrugðinn grafíti, þannig að SiC er ákjósanlegasta efnið fyrir yfirborðshúð grafítgrunns.
Sem stendur er algengt SiC aðallega 3C, 4H og 6H gerð og SiC notkun mismunandi kristalgerða er mismunandi.Til dæmis getur 4H-SiC framleitt aflmikil tæki;6H-SiC er stöðugasta og getur framleitt ljós raftæki;Vegna svipaðrar uppbyggingar og GaN er hægt að nota 3C-SiC til að framleiða GaN epitaxial lag og framleiða SiC-GaN RF tæki.3C-SiC er einnig almennt þekkt semβ-SiC, og mikilvæg notkun áβ-SiC er sem filma og húðunarefni, svoβ-SiC er nú helsta efnið í húðun.
Pósttími: Nóv-06-2023