-
Að kanna hálfleiðara kísilkarbíð epitaxial diska: Kostir afkasta og umsóknarhorfur
Á sviði rafeindatækni nútímans gegna hálfleiðaraefni mikilvægu hlutverki. Þar á meðal er kísilkarbíð (SiC) sem hálfleiðaraefni með breitt bandbil, með framúrskarandi frammistöðukostum, svo sem hátt sundurliðun rafsviðs, hár mettunarhraði, h...Lestu meira -
Grafít harður filt - nýstárlegt efni, opnar nýtt tímabil vísinda og tækni
Sem nýtt efni grafít harður filt, er framleiðsluferlið alveg einstakt. Við blöndun og þæfingarferlið hafa grafentrefjar og glertrefjar samskipti til að mynda nýtt efni sem heldur bæði mikilli rafleiðni og miklum styrk grafens og ...Lestu meira -
Hvað er hálfleiðara kísilkarbíð (SiC) diskur
Hálfleiðara kísilkarbíð (SiC) diskar, þetta nýja efni hefur smám saman komið fram á undanförnum árum, með einstökum eðlis- og efnafræðilegum eiginleikum sínum, sprautað nýrri orku fyrir hálfleiðaraiðnaðinn. SiC oblátur, sem nota einkristalla sem hráefni, eru vandlega g...Lestu meira -
Framleiðsluferli kísilkarbíðskífunnar
Kísilkarbíðskífa er úr háhreinleika kísildufti og háhreinleika kolefnisdufti sem hráefni, og kísilkarbíð kristall er ræktað með líkamlegri gufuflutningsaðferð (PVT) og unnið í kísilkarbíðskífu. ① Nýmyndun hráefna. Hár hreinleiki sili...Lestu meira -
Kísilkarbíðhúð: nýja elskan í hálfleiðaraiðnaðinum
Með hraðri þróun hálfleiðaraiðnaðarins er nýja efnið kísilkarbíð (SiC) húðun smám saman að verða stjörnuefnið í greininni. Kísilkarbíðhúðað grafít er mikið notað í háhita/háspennu hálfleiðurum rafeinda...Lestu meira -
Kísilkarbíðhúð: Nýjar byltingar í efnisfræði
Með þróun vísinda og tækni er nýja efnið kísilkarbíðhúð smám saman að breyta lífi okkar. Þessi húðun, sem er unnin á yfirborði hluta með eðlisfræðilegri eða efnafræðilegri gufuútfellingu, úða og öðrum aðferðum, hefur vakið mikla athygli...Lestu meira -
SiC húðuð grafíttunna
Sem einn af kjarnaþáttum MOCVD búnaðar er grafítgrunnur burðarefni og upphitunarhluti undirlagsins, sem ákvarðar beint einsleitni og hreinleika filmuefnisins, þannig að gæði þess hafa bein áhrif á undirbúning epitaxial laksins og við . ..Lestu meira -
Aðferð til að útbúa kísilkarbíðhúð
Sem stendur innihalda undirbúningsaðferðir SiC húðunar aðallega gel-sol aðferð, innfellingaraðferð, bursta húðunaraðferð, plasma úða aðferð, efnagasviðbragðsaðferð (CVR) og efnagufuútfellingaraðferð (CVD). Innfellingaraðferð: Aðferðin er eins konar há...Lestu meira -
Til hamingju með (Semicera), samstarfsaðila okkar, SAN 'an Optoelectronics, með hækkun hlutabréfaverðs
24. október - Hlutabréf í San'an Optoelectronics hækkuðu um allt að 3,8 í dag eftir að kínverski hálfleiðaraframleiðandinn sagði að kísilkarbíðverksmiðja hans, sem mun útvega samrekstur bílaflísa fyrirtækisins með svissneska tæknirisanum ST Microelectronics þegar henni er lokið. .Lestu meira -
Varúðarráðstafanir við notkun á súráls keramik burðarhlutum
Á undanförnum árum hefur súrál keramik verið mikið notað á hágæða sviðum eins og tækjabúnaði, matvælalæknismeðferð, sólarljósi, vélrænum og rafmagnstækjum, leysir hálfleiðurum, jarðolíuvélum, bílahernaðariðnaði, geimferðum og öðrum ...Lestu meira -
Efnisbygging og eiginleikar hertu kísilkarbíðs við loftþrýsting
【Yfirlitslýsing】 Í nútíma C, N, B og öðrum óoxíð hátækni eldföstum hráefnum er hertu kísilkarbíð í andrúmsloftsþrýstingi umfangsmikið og hagkvæmt og má segja að það sé smergel eða eldfastur sandur. Hreint kísilkarbíð er litlaus gagnsætt kr...Lestu meira -
Framleiðsluaðferð til að flytja tæki á kísilkarbíð ofnrör
Kísilkarbíð ofnrör hefur hátt hitastig, slitþol, tæringarþol, mikla hörku, mikla styrkleika, mikla hitaleiðni, mikla köldu og heitu skyndibreytingu, góða oxunarþol og aðra framúrskarandi eiginleika, í ýmsum hita ...Lestu meira