Hálfleiðari SiC húðaður einkristallaður sílikon epitaxial diskur

Stutt lýsing:

Semicera Energy Technology Co., Ltd. er leiðandi birgir sem sérhæfir sig í oblátum og háþróuðum rekstrarvörum fyrir hálfleiðara.Við erum staðráðin í að veita hágæða, áreiðanlegar og nýstárlegar vörur til hálfleiðaraframleiðslu,ljósvakaiðnaðurog öðrum skyldum sviðum.

Vörulínan okkar inniheldur SiC/TaC húðaðar grafítvörur og keramikvörur, sem nær yfir ýmis efni eins og kísilkarbíð, kísilnítríð og áloxíð og o.s.frv.

Sem traustur birgir skiljum við mikilvægi rekstrarvara í framleiðsluferlinu og við erum staðráðin í að afhenda vörur sem uppfylla ströngustu gæðastaðla til að uppfylla þarfir viðskiptavina okkar.

 

 

Upplýsingar um vöru

Vörumerki

Lýsing

Fyrirtækið okkar veitirSiC húðunvinnsluþjónustu með CVD aðferð á yfirborði grafíts, keramik og annarra efna, þannig að sérstakar lofttegundir sem innihalda kolefni og kísil hvarfast við háan hita til að fá mikla hreinleika SiC sameindir, sameindir sem eru settar á yfirborð húðuðu efnanna og myndaSIC hlífðarlag.

 
Einkristölluð sílikon epitaxial lak
PSS Etch Carrier (3)

Aðalatriði

1. Oxunarþol við háan hita:
oxunarþolið er enn mjög gott þegar hitastigið er allt að 1600 C.
2. Hár hreinleiki: gert með efnagufuútfellingu við háhita klórunarskilyrði.
3. Rofþol: mikil hörku, samningur yfirborð, fínar agnir.
4. Tæringarþol: sýra, basa, salt og lífræn hvarfefni.

Helstu upplýsingar um CVD-SIC húðun

SiC-CVD eiginleikar
Kristal uppbygging FCC β fasi
Þéttleiki g/cm ³ 3.21
hörku Vickers hörku 2500
Kornastærð μm 2~10
Efnafræðilegur hreinleiki % 99.99995
Hitageta J·kg-1 ·K-1 640
Sublimation Hitastig 2700
Felexural styrkur MPa (RT 4 punkta) 415
Young's Modulus GPA (4pt beygja, 1300 ℃) 430
Varmaþensla (CTE) 10-6K-1 4.5
Varmaleiðni (W/mK) 300
Semicera Vinnustaður
Semicera vinnustaður 2
Tækjavél
CNN vinnsla, efnahreinsun, CVD húðun
Þjónustan okkar

  • Fyrri:
  • Næst: