SiC húðaðir grafítgrunnsnemar fyrir MOCVD

SiC húðuð grafít grunn sceptorsfyrir MOCVD frá semicera eru hönnuð til að veita framúrskarandi frammistöðu í epitaxial vaxtarferlum. Hágæða kísilkarbíðhúðin á grafítbotninum tryggir stöðugleika, endingu og bestu hitaleiðni meðan á MOCVD (Metal Organic Chemical Vapor Deposition) aðgerðir stendur. Með því að nota nýstárlega susceptor tækni semicera geturðu náð aukinni nákvæmni og skilvirkni íSi EpitaxyogSiC Epitaxyumsóknir.

ÞessarMOCVD susceptorseru hönnuð til að styðja við úrval af nauðsynlegum hálfleiðarahlutum, svo semPSS Etching Carrier, ICP Etching Carrier, ogRTP flutningsaðili, sem gerir þær fjölhæfar fyrir ýmis ætingar- og epitaxial verkefni. Skuldbinding Semicera við háa staðla tryggir að þessir susceptors standist strangar kröfur nútíma hálfleiðaraframleiðslu.

Tilvalið til notkunar íLED EpitaxialSusceptor, Barrel sceptor og Monocrystalline Silicon ferli, þessir susceptors er hægt að aðlaga fyrir mismunandi oblátastærðir, þar á meðal pönnuköku susceptor stillingar. Þeir eru einnig mjög áhrifaríkir við að meðhöndla ljósvökvahluta, sem gerir þá að mikilvægum þáttum í þróun skilvirkra sólarsella.

Að auki eru SiC-húðuð grafítbase sceptors fyrir MOCVD fínstilltir fyrir GaN á SiC Epitaxy, sem bjóða upp á mikla samhæfni við háþróuð hálfleiðaraefni. Hvort sem þú ert að einbeita þér að því að bæta ávöxtun eða auka gæði epitaxial vaxtar, veita susceptors semicera þann áreiðanleika og afköst sem þarf til að ná árangri í hátækniiðnaði.