Lýsing
CVD-SiC húðun hefur einkenni einsleitrar uppbyggingar, samsetts efnis, háhitaþols, oxunarþols, mikils hreinleika, sýru- og basaþols og lífræns hvarfefnis, með stöðuga eðlis- og efnafræðilega eiginleika.
Í samanburði við háhreint grafítefni byrjar grafít að oxast við 400C, sem mun valda tapi á dufti vegna oxunar, sem leiðir til umhverfismengunar í jaðartækjum og lofttæmishólfum og eykur óhreinindi í mjög hreinu umhverfi.
Hins vegar getur SiC húðun viðhaldið líkamlegum og efnafræðilegum stöðugleika við 1600 gráður, það er mikið notað í nútíma iðnaði, sérstaklega í hálfleiðaraiðnaði.
Fyrirtækið okkar veitir SiC húðunarferlisþjónustu með CVD aðferð á yfirborði grafíts, keramik og annarra efna, þannig að sérstakar lofttegundir sem innihalda kolefni og sílikon hvarfast við háan hita til að fá mikla hreinleika SiC sameindir, sameindir sem eru settar á yfirborð húðuðu efnanna, myndar SIC hlífðarlag.SIC sem myndast er þétt tengt við grafítbotninn, sem gefur grafítbotninum sérstaka eiginleika, þannig að yfirborð grafítsins er þétt, porosity-frjáls, háhitaþol, tæringarþol og oxunarþol.
Umsókn
Aðalatriði
1 .Hátt hreint SiC húðað grafít
2. Superior hitaþol og hitauppstreymi einsleitni
3. Fínn SiC kristal húðaður fyrir slétt yfirborð
4. Mikil ending gegn efnahreinsun
Helstu upplýsingar um CVD-SIC húðun
| SiC-CVD | ||
| Þéttleiki | (g/cc) | 3.21 |
| Beygjustyrkur | (Mpa) | 470 |
| Hitaþensla | (10-6/K) | 4 |
| Varmaleiðni | (W/mK) | 300 |
Pökkun og sendingarkostnaður
Framboðsgeta:
10000 stykki / stykki á mánuði
Pökkun og afhending:
Pökkun: Venjuleg og sterk pökkun
Fjölpoki + kassi + öskju + bretti
Höfn:
Ningbo/Shenzhen/Shanghai
Leiðslutími:
| Magn (stykki) | 1 – 1000 | >1000 |
| ÁætlaðTími (dagar) | 15 | Á að semja |
