Vörulýsing
4h-n 4 tommu 6 tommu þvermál 100 mm sic fræ obláta 1 mm þykkt fyrir vöxt hleifa
Sérsniðin stærð/2 tommur/3 tommur/4 tommur/6 tommur 6H-N/4H-SEMI/ 4H-N SIC hleifar/Háhreinleiki 4H-N 4 tommur 6 tommur þvermál 150 mm kísilkarbíð einkristal (sic) undirlag obláturS/ sérsniðin undirlag sem skorið er framleiðsla bekk 4H-N 1,5 mm SIC oblátur fyrir frækristall
Um Silicon Carbide (SiC) Crystal
Kísilkarbíð (SiC), einnig þekkt sem carborundum, er hálfleiðari sem inniheldur sílikon og kolefni með efnaformúlu SiC.SiC er notað í hálfleiðara rafeindabúnaði sem starfar við háan hita eða háspennu, eða hvort tveggja. SiC er einnig einn af mikilvægu LED íhlutunum, það er vinsælt undirlag til að rækta GaN tæki, og það þjónar einnig sem hitadreifari í há- máttur LED.
Lýsing
| Eign | 4H-SiC, einn kristal | 6H-SiC, einn kristal |
| Grindbreytur | a=3,076 Å c=10,053 Å | a=3,073 Å c=15,117 Å |
| Stafla röð | ABCB | ABCACB |
| Mohs hörku | ≈9,2 | ≈9,2 |
| Þéttleiki | 3,21 g/cm3 | 3,21 g/cm3 |
| Therm.Stækkunarstuðull | 4-5×10-6/K | 4-5×10-6/K |
| Brotstuðull @750nm | nei = 2,61 | nei = 2,60 |
| Dielectric stöðug | c~9,66 | c~9,66 |
| Varmaleiðni (N-gerð, 0,02 ohm.cm) | a~4,2 W/cm·K@298K |
|
| Varmaleiðni (hálfeinangrandi) | a~4,9 W/cm·K@298K | a~4,6 W/cm·K@298K |
| Hljómsveitarbil | 3.23 eV | 3.02 eV |
| Niðurbrot rafsviðs | 3-5×106V/cm | 3-5×106V/cm |
| Saturation Drift Velocity | 2,0×105m/s | 2,0×105m/s |
